80+ câu trắc nghiệm Các kỹ thuật chuyển mạch có đáp án - Phần 1

A. Chuyển mạch không gian tương tự

B. Chuyển mạch PAM

C. Chuyển mạch số

D. Bao gồm cả A, B, và C

A. Không làm suy hao tín hiệu

B. Không gây xuyên âm

C. Không gây nhiễu tín hiệu sang phần tử khác

D. Có trở kháng cao khi ở trạng thái nối mạch

A. Mỗi yêu cầu chuyển mạch giữa một đầu vào với một đầu ra của trường chuyển mạch có thể qua nhiều phần tử chuyển mạch

B. Luôn tồn tại tương quan 1:1 giữa đầu vào phần tử chuyển mạch và đầu ra nếu các bộ chuyển mạch dùng trong sơ đồ một khâu là các bộ chuyển mạch toàn thông.

C. Mỗi yêu cầu chuyển mạch giữa một đầu vào với một đầu ra của trường chuyển mạch chỉ qua một phần tử chuyển mạch

D. Luôn tồn tại tương quan 1: n giữa đầu vào phần tử chuyển mạch và đầu ra nếu các bộ chuyển mạch dùng trong sơ đồ một khâu là các bộ chuyển mạch không toàn thông.

A. Số đầu ra của mỗi bộ chuyển mạch tầng trước phải bằng số bộ chuyển mạch tầng sau

B. Số đầu vào của các bộ chuyển mạch tầng sau bằng số bộ chuyển mạch tầng trước

C. Tuân theo nguyên tắc 1:1, đồng tên

D. Cả A, B, C

E. Bao gồm A và B

A. Tín hiệu tương tự

B. Tín hiệu số

C. Tín hiệu rời rạc dạng PAM

D. Tín hiệu số dạng PCM

A. Chuyển đổi A/D, và D/A

B. Chuyển đổi báo hiệu cần thiết

C. Định tuyến cuộc gọi đến địa chỉ yêu cầu

D. Liên kết các luồng PCM vào tới các luồng PCM ra.

A. Đặc tuyến truyền (tương tự hay số)

B. Sự phân chia tài nguyên sẵn có

C. Công nghệ điều khiển

D. Kiểu chuyển mạch

A. Bit

B. Time Slot

C. Packet

D.Cell

A. Chuyển mạch kênh

B. Chuyển mạch số

C. Chuyển mạch không gian số

d. Chuyển mạch thời gian số

A. Kiểu ghi ngẫu nhiên và đọc ngẫu nhiên

B. Kiểu ghi tuần tự và đọc ngẫu nhiên

C. Kiểu ghi ngẫu nhiên và đọc tuần tự

A. Số ngăn nhớ của C-MEM nhỏ hơn số ngăn nhớ của S-MEM

B. Số ngăn nhớ của C-MEM lớn hơn số ngăn nhớ của S-MEM

C. Số ngăn nhớ của C-MEM bằng với số ngăn nhớ của S-MEM

A. Mỗi hàng có số ngăn nhớ bằng với dung lượng của tuyến PCM

B. Mỗi cột có số ngăn nhớ bằng với dung lượng của tuyến PCM

C. Mỗi cột có số ngăn nhớ nhỏ hơn dung lượng của tuyến PCM

D. Mỗi hàng có số ngăn nhớ nhỏ hơn với dung lượng của tuyến PCM

A. Các bộ hợp kênh tại mỗi cột

B. Các bộ hợp kênh tại mỗi hàng

C. Các bộ phân kênh tại mỗi cột

D. Các bộ phân kênh tại mỗi hàng

A. Các bộ hợp kênh tại mỗi cột

B. Các bộ hợp kênh tại mỗi hàng

C. Các bộ phân kênh tại mỗi cột

D. Các bộ phân kênh tại mỗi hàng

A. Làm giảm số lượng điểm chuyển mạch (điểm nối)

B. Làm tăng tốc độ chuyển mạch

C. Làm tăng số lượng điểm chuyển mạch (điểm nối)

D. Làm tăng tốc độ chuyển mạch

A. Selector1

B. Selector2

C. DEC

D. TS Counter

A. Điều khiển quá trình đọc thông tin đã lưu đệm trong C-MEM

B. Nhớ tạm thời các tín hiệu PCM chứa trong mỗi khe thời gian phía đầu vào để tạo độ trễ thích hợp theo yêu cầu

C. Lưu giữ các tín hiệu PCM của luồng đầu vào, khi có sự điều khiển từ CMEM thì nó lấy tín hiệu PCM này kết nối với luồng đầu ra thích hợp.

D. Điều khiển quá trình ghi thông tin đã lưu đệm trong C-MEM

A. Sự hạn chế của công nghệ chế tạo vi mạch

B. Để giảm hiện tượng blocking

C. Làm tăng dung lượng của hệ thống

D. Nhu cầu nâng cao dung lượng hệ thống

A. T-S

B. S-T

C.T-S-T

D. S-T-S

A. Mức 1

B. Mức 2

C. Mức 3

D. B và C