100+ câu trắc nghiệm Điện tử công suất có đáp án - Phần 1

214 người thi tuần này 4.6 3.8 K lượt thi 30 câu hỏi 45 phút

🔥 Học sinh cũng đã học

174 người thi tuần này

163 câu bài tập Công tác quốc phòng an ninh (có đáp án) - Phần 6

1 K lượt thi 14 câu hỏi

111 người thi tuần này

163 câu bài tập Công tác quốc phòng an ninh (có đáp án) - Phần 5

0.9 K lượt thi 30 câu hỏi

98 người thi tuần này

163 câu bài tập Công tác quốc phòng an ninh (có đáp án) - Phần 4

0.9 K lượt thi 30 câu hỏi

107 người thi tuần này

163 câu bài tập Công tác quốc phòng an ninh (có đáp án) - Phần 3

0.9 K lượt thi 30 câu hỏi

101 người thi tuần này

163 câu bài tập Công tác quốc phòng an ninh (có đáp án) - Phần 2

0.9 K lượt thi 31 câu hỏi

213 người thi tuần này

163 câu bài tập Công tác quốc phòng an ninh (có đáp án) - Phần 1

1 K lượt thi 30 câu hỏi

101 người thi tuần này

56 câu bài tập Đường lối quân sự của Đảng (có đáp án) - Phần 2

421 lượt thi 26 câu hỏi

204 người thi tuần này

56 câu bài tập Đường lối quân sự của Đảng (có đáp án) - Phần 1

524 lượt thi 31 câu hỏi

Danh sách câu hỏi:

Câu 1/30

Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi dẫn là

A. W_SWON = \(\frac{1}{6}\)V.I.t_swoff

B. W_SWON = \(\frac{1}{6}\)V.I.t_swon

C. W_SWON = \(\frac{1}{3}\)V.I.t_swon

D. W_SWON = \(\frac{1}{3}\)V.I.t_swoff

Lời giải

Chọn đáp án B

Câu 2/30

Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi ngưng là

A. W_SWOFF = \(\frac{1}{6}\)V.I.t_swoff

B. W_SWOFF = \(\frac{1}{6}\)V.I.t_swon

C. W_SWOFF = \(\frac{1}{3}\)V.I.t_swon

D. W_SWOFF = \(\frac{1}{3}\)V.I.t_swoff

Lời giải

Chọn đáp án A

Câu 3/30

Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong một chu kỳ giao hoán là

A. W_SW = \(\frac{1}{3}\)V.I(t_swon + t_swoff)

B. W_SW = \(\frac{1}{6}\)V.I(t_swon + t_swoff)

C. W_SW = \(\frac{1}{2}\)V.I(t_swon + t_swoff)

D. W_SW = V.I(t_swon + t_swoff)

Lời giải

Chọn đáp án B

Câu 4/30

Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, công suất tiêu tán trong một chu kỳ giao hoán là (C)

A. P_SW = \(\frac{1}{3}\)VI(t_swon + t_swoff)f

B. P_SW = \(\frac{1}{2}\)VI(t_swon + t_swoff)f

C. P_SW = \(\frac{1}{6}\)VI(t_swon + t_swoff)f

D. P_SW = VI(t_swon + t_swoff)f

Lời giải

Chọn đáp án C

Câu 5/30

Công suất thất thoát tổng cộng của một diode được tính (A)

A. P_T = P_ON + P_OFF + P_SW

B. P_T = V_FI_F\[\frac{{{t_{on}}}}{T}\]

C. P_T = V_FI_F\[\frac{{{t_{off}}}}{T}\]

D. P_T = \(\frac{1}{6}\)V_FmaxI_Fmax(t_swon + t_swoff)f

Lời giải

Chọn đáp án A

Câu 6/30

Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế

A. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh

B. Transistor có cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát

C. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ

D. Các câu A, B, C đều đúng

Lời giải

Chọn đáp án D

Câu 7/30

Phát biểu nào sau đây đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất (D)

A. Độ lợi dòng nhỏ còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ

B. Độ lợi dòng lớn còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn

C. Ngoài hiện tượng hủy thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng hủy thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn

D. Các câu A và C đều đúng

Lời giải

Chọn đáp án D

Câu 8/30

Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) dẫn bão hòa sẽ là (A)

A. P_ON = V_CEbhI_CM + V_BEbhI_B

B. P_ON = V_CCI_r\[\frac{{{t_{off}}}}{T}\]

C. P_ON = V_CEbhI_CM + V_CEbhI_B

D. P_ON = V_CCI_CM\[\frac{{{t_{on}}}}{T}\]

Lời giải

Chọn đáp án A

Câu 9/30

Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) ngưng dẫn và dòng rỉ rất bé công thức nào sau đây là chính xác nhất (B)

A. P_OFF = V_CEbhI_CM + V_BEbhI_B

B. P_OFF = V_CCI_r\[\frac{{{t_{off}}}}{T}\]

C. P_OFF = V_CEbhI_CM + V_CEbhI_B

D. P_OFF = V_CCI_CM\[\frac{{{t_{on}}}}{T}\]

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 250K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Câu 10/30

Năng lượng thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là (B)

A. W_SW = \(\frac{1}{3}\)V_CEM.I_CM(t_swon + t_swoff)

B. W_SW = \(\frac{1}{6}\)V_CEM.I_CM(t_swon + t_swoff)

C. W_SW = \(\frac{1}{2}\)V_CEM.I_CM(t_swon + t_swoff)

D. W_SW = V_CEM.I_CM(t_swon + t_swoff)

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 250K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Câu 11/30

Công suất thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là (C)

A. P_T = P_ON + P_OFF + P_SWON

B. P_T = (P_ON + P_OFF + P_SW)

C. P_T = (P_ONt_on + P_OFFt_off + W_SW)f

D. P_T = (P_ON + P_OFF + W_SW)f

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 250K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Câu 12/30

Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất (B)

A. Có cấu trúc xen kẽ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn

B. Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là V-mosfet để cấp dòng lớn

C. Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn

D. Các câu A, B, C đều đúng

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 250K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Câu 13/30

Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất (D)

A. Điện trở giữa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ)

B. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cỡ vài chục volt

C. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz)

D. Tất cả các câu A, B, C đều đúng

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 250K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Câu 14/30

Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất (C)

A. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất

B. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất

C. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng hủy thác thứ cấp so với BJT công suất

D. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 250K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Câu 15/30

Công suất tổn hao của mosfet công suất khi dẫn sẽ là (B)

A. P_ON = \[I_D^2\]R_DSon\(\frac{{{t_{off}}}}{T}\)

B. P_ON = \[I_D^2\]R_DSon\(\frac{{{t_{on}}}}{T}\)

C. P_ON = V_DSmaxI_DR \(\frac{{{t_{on}}}}{T}\)

D. P_ON = V_DSmaxI_DR \(\frac{{{t_{off}}}}{T}\)

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 250K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Câu 16/30

Công suất tổn hao của mosfet công suất ngưng dẫn sẽ là (D)

A. P_OFF = \[I_D^2\]R_DSon\(\frac{{{t_{off}}}}{T}\)

B. P_OFF = \[I_D^2\]R_DSon\(\frac{{{t_{on}}}}{T}\)

C. P_OFF = V_DSmaxI_DR \(\frac{{{t_{on}}}}{T}\)

D. P_OFF = V_DSmaxI_DR \(\frac{{{t_{off}}}}{T}\)

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 250K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Câu 17/30

Năng lượng tổn hao của mosfet công suất sẽ là (B)

A. W_SW = \(\frac{1}{3}\)V_DSmax.I_D(t_swon + t_swoff)

B. W_SW = \(\frac{1}{6}\) V_DSmax.I_D(t_swon + t_swoff)

C. W_SW = \(\frac{1}{2}\) V_DSmax.I_D(t_swon + t_swoff)

D. W_SW = V_DSmax.I_D(t_swon + t_swoff)

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 250K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Câu 18/30

Công suất tổn hao của mosfet công suất trong thời gian giao hoán là (C)

A. P_SW = P_ON + P_OFF + P_SWON

B. P_SW = (P_ON + P_OFF + W_SW)

C. P_SW = (W_SWon + W_SWoff)f

D. P_SW = (P_ON + P_OFF + W_SW)f

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 250K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Câu 19/30

Công suất tổn hao tổng cộng của mosfet công suất là (A)

A. P_T = P_ON + P_OFF + P_SW

B. P_T = V_DSI_D\[\frac{{{t_{on}}}}{T}\]

C. P_T = V_CDI_D\[\frac{{{t_{off}}}}{T}\]

D. P_T = \(\frac{1}{6}\)V_DSmaxI_D(t_swon + t_swoff)f

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 250K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Câu 20/30

Triac có bao nhiêu cách kích dẫn (D)

A. Một cách

B. Hai cách

C. Ba cách

D. Bốn cách

Lời giải

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 250K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Xem tiếp với tài khoản VIP

Còn 22/30 câu hỏi, đáp án và lời giải chi tiết.

Bạn cần đăng ký gói VIP ( giá chỉ từ 250K ) để làm bài, xem đáp án và lời giải chi tiết không giới hạn.

Nâng cấp VIP

Bằng việc đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản sử dụng và Chính sách bảo mật của Vietjack.

Lớp 12

Lớp 11

Lớp 10

Ôn vào 10

Lớp 9

Lớp 8

Lớp 7

Lớp 6

Ôn vào 6

Lớp 5

Lớp 4

Lớp 3

Lớp 2

Lớp 1

Đại học

ĐGNL - ĐGTD

Tốt nghiệp THPT

Ôn vào 10

Ôn vào 6

V-ACT

HSA

TSA

SPT

Toán

Văn

Tiếng Anh

Vật lý

Hóa học

Sinh học

Lịch sử

Địa lý

Giáo dục Kinh tế và Pháp luật

Tin học

Công nghệ

Toán

Văn

Tiếng Anh

Vật lí

Hóa học

Sinh học

Lịch sử

Địa lí

Giáo dục Kinh tế và Pháp luật

Tin học

Công nghệ

Toán

Văn

Tiếng Anh

Vật lí

Hóa học

Sinh học

Lịch sử

Địa lí

Giáo dục Kinh tế và Pháp luật

Tin học

Công nghệ

Toán

Văn

Tiếng Anh

Vật lý

Hóa học

Sinh học

Lịch sử

Địa lí

Giáo dục Kinh tế và Pháp luật

Tin học

Công nghệ

Toán

Văn

Tiếng Anh

Vật lý

Hóa học

Sinh học

Khoa học tự nhiên

Tin học

Lịch sử

Địa lí

Toán

Văn

Tiếng Anh