500+ câu trắc nghiệm Kiến trúc máy tính có đáp án - Phần 10

A. Mật mã cho biết lệnh cần thực hiện nằm ở đâu trong bộ nhớ

B. Chuỗi số nhị phân chứa thông tin về các thao tác cần thiết để thực hiện lệnh

C. Chuỗi số nhị phân chỉ ra lệnh nằm ở đâu trong bộ nhớ

D. Là chuỗi số nhị phân do người lập trình gán cho câu lệnh

A. Số đường bus địa chỉ

B. Số đường bus dữ liệu

C. Các đường địa chỉ và đường dữ liệu

D. Số lượng đường địa chỉ và đường dữ liệu

A. Đưa nội dung của BX vào Ax

B. Đưa nội dung ô nhớ có địa chỉ logic nằm trong Bx vào Ax

C. Đưa nội dung ô nhớ có địa chỉ vật lý nằm trong Bx vào Ax

D. Đưa nội dung ô nhớ có địa chỉ đoạn nằm trong DS, địa chỉ offset nằm trong Bx vào Ax

A. Bảng LDT, GDT hoặc IDT

B. Chỉ nằm trong LDT

C. Chỉ nằm trong GDT

D. Nằm ở GDT và LDT

A. Làm tăng tốc độ thực hiện lệnh lên nhiều lần so với cách thực hiện tuần tự hết các giai đoạn của lệnh rồi mới chuyển sang lệnh khác (1)

B. Chỉ thực hiện được với vi xử lý Intel Pentium trở đi (2)

C. Cũng có trường hợp làm giảm tốc độ thực hiện lệnh (3)

D. Kết hợp (1) và (3)

A. Các nhiệm vụ được thực hiện song song tại cùng một thời điểm

B. Các nhiệm vụ được thực hiện xen kẽ nhau

C. Các nhiệm vụ được thực hiện tuần tự, thực hiện xong nhiệm vụ này rồi chuyển sang thực hiện nhiệm vụ khác

D. CPU có thể thực hiện được nhiều nhiệm vụ

A. Các lệnh được thực hiện song song bởi 2 CPU

B. Các lệnh được thực hiện đồng thời trên nhiều đường ống khác nhau

C. Trong bất kì trường hợp nào cũng thực hiện được song song các lệnh trên các đường ống

D. Chỉ có các lệnh có liên quan đến nhau mới có thể được thực hiện song song trên các đường ống

A. Ô nhớ trong đoạn mã lệnh

B. Ô nhớ trong đoạn dữ liệu

C. Ô nhớ trong đoạn mở rộng

D. Ô nhớ trong đoạn ngăn xếp

A. Thời gian để truy xuất dữ liệu từ bộ nhớ ROM ngắn hơn so với thời gian để truy xuất dữ liệu từ bộ nhớ RAM

B. Người lập trình có thể thay đổi nội dung bộ nhớ ROM qua chương trình

C. Không nhất thiết phải cần đến nguồn nuôi khi muốn đọc dữ liệu từ ROM

D. Tốc độ đọc dữ liệu từ bộ nhớ ROM chậm hơn so với tốc độ đọc dữ liệu từ bộ nhớ RAM

A. 4BCF0h

B. 3BCE0h

C. 3BCF0h

D. 3BDF0h

A. 3A5A9h

B. 3A609h

C. D59Ah

D. 3A59Ah

A. 4ACEh:1010h

B. 4ACEh:1100h

C. 4BCEh:0010h

D. 4BCD:0010h

A. Có địa chỉ vật lý liền kề

B. Có cùng địa chỉ vật lý

C. Thuộc 2 đoạn nhớ và có địa chỉ vật lý khác nhau

D. Có địa chỉ vật lý sai khác nhau 10h

A. DI tăng lên 1 sau mỗi lần lặp

B. DI và SI giảm đi 1 sau mỗi lần lặp

C. SI tăng lên 1 sau mỗi lần lặp

D. DI và SI tăng lên 1 sau mỗi lần lặp

A. DI và SI tăng lên 1 sau mỗi lần lặp

B. DI và SI giảm đi 1 sau mỗi lần lặp

C. SI giảm đi 1 sau mỗi lần lặp

D. DI giảm đi 1 sau mỗi lần lặp

A. CF

B. AF

C. SF

D. ZF

A. Thanh ghi CX=000Ah

B. Thanh ghi CX=10h

C. Byte cao của thanh ghi CX bằng 0000 1010b

D. Byte thấp của thanh ghi CX bằng 00001010b

A. 00000011000000012

B. 0011000000012

C. 11000000012

D. Giá trị khác với các giá trị đã nêu trên

A. 006000h

B. 891000h

C. 910000h

D. 789100h

A. a:= x + 10; b:=a + 10; (1)

B. a:= x + 10; b:=x + 20; (2)

C. b:= x + 20; a:=b -10; (3)

D. Cả (1) (2) (3) đều không thể thực hiện được theo kỹ thuật song song mức lệnh