100+ câu trắc nghiệm Thiết kế VLSI có đáp án - Phần 5

A. Khi cổng và nguồn được nối chung

B. Khi cổng và nối chung với nguồn thông qua một điện trở

C. Khi cổng và nguồn không nối chung

D. Hiệu ứng body không xảy ra trong mạch MOSFET

A. Tăng điện áp ngưỡng

B. Giảm điện áp ngưỡng

C. Không ảnh hưởng đến điện áp ngưỡng

D. Điện áp ngưỡng không tồn tại trong transistor MOSFET

A. Tăng hiệu năng mạch

B. Giảm hiệu năng mạch

C. Tăng hiệu suất mạch

D. Không ảnh hưởng gì đến hiệu năng và hiệu suất mạch

A. Tăng kích thước transistor

B. Sử dụng điện trở kết nối cổng và nguồn

C. Giảm kích thước transistor

D. Không có biện pháp nào để giảm hiệu ứng body

A. Một loại mô-đun bán dẫn nhỏ gọn

B. Một thiết bị lưu trữ dữ liệu

C. Một loại vật liệu trắng trong chế tạo mạch

D. Lõi silicon đơn thuần được sử dụng để chế tạo mạch tích hợp

A. Kim loại

B. Nhựa tổng hợp

C. Silicon

D. Thủy tinh

A. Cầu

B. Trụ

C. Đĩa phẳng và mỏng

D. Hình lục giác

A. Loại bỏ các lỗi trong mạch

B. Bảo vệ sự an toàn của người làm việc

C. Tạo ra các tính năng thêm vào trong mạch

D. Định rõ vị trí của các thành phần trên wafer

A. Quá trình sơn phủ lớp bảo vệ lên wafer

B. Quá trình làm mỏng wafer để tạo thành mạch tích hợp

C. Quá trình etsa (tạo hình) các khu vực trên wafer để tạo thành các thành phần mạch

D. Quá trình kiểm tra và đo lường các tính chất của wafer

A. Làm mỏng wafer

B. Làm dày wafer

C. Tạo hình các thành phần mạch trên wafer

D. Tạo bảo vệ bề mặt wafer

A. Etsa hóa học (Chemical Etching)

B. Etsa plasma (Plasma Etching)

C. Etsa điện hóa (Electrochemical Etching)

D. Etsa laser (Laser Etching)

A. Transistor MOSFET

B. Các lớp bảo vệ wafer

C. Các tuyến dẫn và kết nối giữa các thành phần

D. Đèn LED

A. Chỉ từ vài micromet đến vài milimet

B. Chỉ từ vài nanomet đến vài micromet

C. Từ vài nanomet đến vài micromet và có thể thậm chí lớn hơn

D. Chỉ từ vài picomet đến vài nanomet

A. Quá trình sơn phủ lớp bảo vệ lên wafer

B. Quá trình làm mỏng wafer để tạo thành mạch tích hợp

C. Quá trình tạo hình các khu vực trên wafer để tạo thành các thành phần mạch

D. Quá trình kiểm tra và đo lường các tính chất của wafer

A. Tạo hình các thành phần mạch trên wafer

B. Làm mỏng wafer

C. Tạo bảo vệ bề mặt wafer

D. Tạo các lớp bảo vệ wafer

A. Chất sơn phủ lên wafer

B. Chất nhạy ánh sáng dùng để chiếu vào wafer

C. Chất tạo hình bề mặt wafer

D. Chất làm mỏng wafer

A. Ánh sáng có bước sóng dài

B. Ánh sáng có bước sóng ngắn

C. Ánh sáng có bước sóng trong khoảng cả visible và ultraviolet

D. Ánh sáng có bước sóng trong khoảng cả ultraviolet và infrared

A. Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích âm trên wafer

B. Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích dương trên wafer

C. Quá trình tạo lỗ giếng không doped trên wafer

D. Quá trình làm mỏng wafer

A. Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích âm trên wafer

B. Quá trình tạo các lỗ giếng doped với điện tích dương trên wafer

C. Quá trình tạo lỗ giếng không doped trên wafer

D. Quá trình làm mỏng wafer

A. Quá trình làm mỏng wafer

B. Quá trình tạo các lỗ giếng không doped trên wafer

C. Quá trình tạo các lỗ giếng doped trên wafer

D. Quá trình tạo hình các khu vực trên wafer để tạo thành các thành phần mạch

A. Giảm tiêu thụ điện năng

B. Tăng hiệu năng mạch

C. Tăng độ chính xác của mạch

D. Giảm kích thước mạch

A. Twin-well sử dụng hai lớp n-well và p-well, trong khi triple-well sử dụng ba lớp n-well và p-well.

B. Twin-well sử dụng ba lớp n-well và p-well, trong khi triple-well sử dụng hai lớp n-well và p-well.

C. Twin-well và triple-well là hai thuật ngữ đồng nghĩa và có cùng ý nghĩa.

D. Twin-well và triple-well là hai phương pháp khác nhau nhưng không liên quan đến VLSI.

A. Hiệu ứng body

B. Hiệu ứng kênh dài

C. Hiệu ứng photoresist

D. Hiệu ứng diffusion

A. Một loại bộ nhớ dùng để lưu trữ dữ liệu

B. Một thành phần bán dẫn dùng để kiểm soát dòng điện trong mạch

C. Một loại linh kiện được sử dụng trong quá trình diffusion

D. Một thành phần bán dẫn dùng để lưu trữ dữ liệu tạm thời

A. Hiệu ứng body

B. Hiệu ứng kênh dài

C. Hiệu ứng kim loại (metal gate effect)

D. Hiệu ứng trễ đầu vào (input delay effect)