100+ câu trắc nghiệm Thiết kế VLSI có đáp án - Phần 6

A. Độ phức tạp trong quá trình chế tạo mạch

B. Độ bền cơ học thấp của wafer

C. Tăng độ cách điện giữa các thành phần mạch

D. Tăng độ kín của mạch

A. Tạo hình các thành phần mạch trên wafer

B. Tạo một lớp silicon trên lớp cách điện

C. Tạo lớp bảo vệ trên wafer

D. Tạo một lớp cách điện trên lớp silicon

A. Lưu trữ dữ liệu tạm thời.

B. Tạo hình mạch

C. Kiểm soát dòng điện trong mạch

D. Tạo kết nối giữa các thành phần trên wafer

A. Một trạng thái

B. Hai trạng thái

C. Ba trạng thái

D. Bốn trạng thái

A. Tiết kiệm chi phí sản xuất

B. Tăng độ chính xác của mạch

C. Đơn giản và dễ thiết kế

D. Tăng hiệu năng mạch

A. Tín hiệu Clock

B. Tín hiệu mức cao

C. Tín hiệu mức thấp

D. Cả 2 mức cao và thấp

A. SRAM cell

B. DRAM cell

C. Flash cell

D. ROM cell

A. Lưu trữ dữ liệu tạm thời

B. Tạo hình mạch

C. Kiểm soát dòng điện trong mạch

D. Tạo kết nối giữa các thành phần trên wafer

A. Tốc độ truy cập nhanh và thời gian truy cập ngắn

B. Tiết kiệm chi phí sản xuất

C. Đơn giản và dễ thiết kế

D. Tăng hiệu năng mạch

A. Nó không thể lưu trữ dữ liệu tạm thời

B. Nó duy trì trạng thái dữ liệu lưu trữ khi không hoạt động

C. Nó chỉ hoạt động khi có dòng điện thông qua nó

D. Nó cần được làm mới thường xuyên để duy trì dữ liệu

B. Bộ nhớ đọc/ghi, chỉ lưu trạng thái khi cấp điện.

C. Bộ nhớ đọc/ghi, lưu trạng thái khi mất điện.

D. Bộ nhớ chỉ đọc, lưu trạng thái khi không điện.

A. Khả năng ghi dữ liệu cao hơn.

B. Tốc độ ghi nhanh.

C. Mất dữ liệu khi mất nguồn.

D. Tiết kiệm năng lượng.

A. Tốc độ truy cập chậm hơn so với RAM.

B. Chi phí sản xuất cao hơn so với RAM.

C. Không thể lưu trữ dữ liệu lâu dài.

D. Không thể xóa và ghi lại dữ liệu.

A. AND gate

B. OR gate

C. XOR gate

D. Flip-flops

A. A xor B xor C

B. A or B or C

C. A and B and C

D. (A or B) and C

A. Bộ hafl-adder

B. Bộ full-adder

C. Bộ sub

D. Cổng AND 2 đầu vào